Intel NUC-Kit i5-7260U 2.2GHz Iris Plus 640 NUC7I5BNK

Intel BOXNUC7I5BNK - Beispiel: signaleingang: vGA, DVI w/HDCP, HDMI. Intel nuc boxnuc7i5bnk core i5-7260U M. 2 ssd + 32gb ram + intel wireless-ac 8265 + BT 4. 2 beispiel: full hd led monitor mit 68, 6 cm 27 Zoll Bildschirmdiagonale. Beispiel: auflösung: 1920 x 1080; Kontrast: 100M:1.

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Crucial 16GB Kit 8GBx2 DDR4 2133 MT/s PC4-17000 SODIMM 260-Pin Memory - CT2K8G4SFD8213

Crucial CT2K8G4SFD8213 - Erhöhung der Bandbreite um bis zu 30 %. Verbesserter durchsatz sequentieller Daten durch höhere Burst- Zugriffsgeschwindigkeiten. Crucial 16gb kit ddr4 2133 mt/s 8gbx2 sodimm 260pin dr x8 unbuff Geschwindigkeit beginnt erst ab 2133 MT/s. Reduzierung des stromverbrauchs um bis zu 40 % und erhöhte Akkulaufzeit.

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Crucial 8GB Single DDR4 2133 MT/s PC4-17000 SODIMM 260-Pin Memory - CT8G4SFD8213

Crucial CT8G4SFD8213 - Verbesserter durchsatz sequentieller Daten durch höhere Burst- Zugriffsgeschwindigkeiten. Crucial 8gb ddr4 2133 mt/s sodimm 260pin dr x8 unbuffered Geschwindigkeit beginnt erst ab 2133 MT/s. Erhöhung der Bandbreite um bis zu 30 %. Verbesserter durchsatz sequentieller Daten durch höhere Burst- Zugriffsgeschwindigkeiten.

Reduzierung des stromverbrauchs um bis zu 40 % und erhöhte Akkulaufzeit. Reduzierung des stromverbrauchs um bis zu 40 % und erhöhte Akkulaufzeit. Erhöhung der Bandbreite um bis zu 30 %. Geschwindigkeit beginnt erst ab 2133 MT/s.

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Samsung 960 EVO MZ-V6E250BW Interne Solid State Drive 250GB

SAY6A MZ-V6E250BW - Breite: 80 mm, tiefe: 22, 1 mmleistung unterstützte sicherheitsalgorithmen : 256-bit aes mittlere betriebsdauer zwischen Ausfällen MTBF : 1500000 h Lesegeschwindigkeit : 3200 MB/s Schreibgeschwindigkeit : 1500 MB/s Controller Typ : Samsung Polaris Geschwindigkeit beginnt erst ab 2133 MT/s. Bis zu 3. 200mb/s sequentielle Lese- und 1.

900mb/s Schreibgeschwindigkeit. Geschwindigkeit beginnt erst ab 2133 MT/s. Reduzierung des stromverbrauchs um bis zu 40 % und erhöhte Akkulaufzeit. Stromverbrauch durchschnittl. 1, 2 w. Verbesserter durchsatz sequentieller Daten durch höhere Burst- Zugriffsgeschwindigkeiten. Erhöhung der Bandbreite um bis zu 30 %.

Samsung 960 EVO MZ-V6E250BW Interne Solid State Drive 250GB - Random lese-/schreibgeschwindigkeiten bei bis zu 440/360K IOPS. Reduzierung des stromverbrauchs um bis zu 40 % und erhöhte Akkulaufzeit. 3 jahre beschränkte Garantie. Innovative samsung V-NAND-Speichertechnologie mit 48 Schichten. Verbesserter durchsatz sequentieller Daten durch höhere Burst- Zugriffsgeschwindigkeiten.

Erhöhung der Bandbreite um bis zu 30 %.

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Samsung MZ-N5E250BW 850 EVO interne SSD 250GB SATA III, 6GB/s, M.2

SAY6A MZ-N5E250BW - Erhöhung der Bandbreite um bis zu 30 %. 3 jahre beschränkte Garantie. Reduzierung des stromverbrauchs um bis zu 40 % und erhöhte Akkulaufzeit. Reduzierung des stromverbrauchs um bis zu 40 % und erhöhte Akkulaufzeit. Geschwindigkeit beginnt erst ab 2133 MT/s. Bis zu 3. 200mb/s sequentielle Lese- und 1. 900mb/s Schreibgeschwindigkeit.

Verbesserter durchsatz sequentieller Daten durch höhere Burst- Zugriffsgeschwindigkeiten. Random lese-/schreibgeschwindigkeiten bei bis zu 440/360K IOPS. M. 2 2280, 250 gb, 540 mb/s, controller: samsung mgxleistung unterstützte sicherheitsalgorithmen : 256-bit aes mittlere betriebsdauer zwischen Ausfällen MTBF : 1500000h Datenübertragungsrate : 6 Gbit/Sek Lesegeschwindigkeit : 540 MB/s Schreibgeschw : 500 MB/s Schreibr Geschwindigkeit beginnt erst ab 2133 MT/s.

Samsung MZ-N5E250BW 850 EVO interne SSD 250GB SATA III, 6GB/s, M.2 - Nvme ssd ausgestattet mit Samsung V-NAND Technologie. Verbesserter durchsatz sequentieller Daten durch höhere Burst- Zugriffsgeschwindigkeiten. Mz-n5e250bw. Innovative samsung V-NAND-Speichertechnologie mit 48 Schichten. Erhöhung der Bandbreite um bis zu 30 %.

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CT2K4G4SFS8213 - Crucial 8GB Kit 4GBx2 DDR4 2133 MT/s PC4-17000 SODIMM 260-Pin Memory

Crucial CT2K4G4SFS8213 - Verbesserter durchsatz sequentieller Daten durch höhere Burst- Zugriffsgeschwindigkeiten. 3 jahre beschränkte Garantie. Verbesserter durchsatz sequentieller Daten durch höhere Burst- Zugriffsgeschwindigkeiten. Verbesserter durchsatz sequentieller Daten durch höhere Burst- Zugriffsgeschwindigkeiten. Erhöhung der Bandbreite um bis zu 30 %.

Erhöhung der Bandbreite um bis zu 30 %. Geschwindigkeit beginnt erst ab 2133 MT/s. Bis zu 3. 200mb/s sequentielle Lese- und 1. 900mb/s Schreibgeschwindigkeit. Reduzierung des stromverbrauchs um bis zu 40 % und erhöhte Akkulaufzeit. Random lese-/schreibgeschwindigkeiten bei bis zu 440/360K IOPS. Erhöhung der Bandbreite um bis zu 30 %.

CT2K4G4SFS8213 - Crucial 8GB Kit 4GBx2 DDR4 2133 MT/s PC4-17000 SODIMM 260-Pin Memory - Mz-n5e250bw. Innovative samsung V-NAND-Speichertechnologie mit 48 Schichten. Geschwindigkeit beginnt erst ab 2133 MT/s. Crucial 8gb kit ddr4 2133 mt/s 4gbx2 sodimm 260pin sr x8 unbuff Geschwindigkeit beginnt erst ab 2133 MT/s. Nvme ssd ausgestattet mit Samsung V-NAND Technologie.

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CT275MX300SSD4 - Internes Crucial MX300 275GB M.2 2280 Solid State Drive

Crucial CT275MX300SSD4 - Die branchenweit beste Hardwareverschlüsselung gewährleistet Datenschutz und -sicherheit. Geschwindigkeit beginnt erst ab 2133 MT/s. Verbesserter durchsatz sequentieller Daten durch höhere Burst- Zugriffsgeschwindigkeiten. Reduzierung des stromverbrauchs um bis zu 40 % und erhöhte Akkulaufzeit. Verbesserter durchsatz sequentieller Daten durch höhere Burst- Zugriffsgeschwindigkeiten.

Random lese-/schreibgeschwindigkeiten bei bis zu 440/360K IOPS. Reduzierung des stromverbrauchs um bis zu 40 % und erhöhte Akkulaufzeit. Nvme ssd ausgestattet mit Samsung V-NAND Technologie. Zufällige lese-/schreibvorgänge mit bis zu 92/83 k bei allen Dateitypen. Geschwindigkeit beginnt erst ab 2133 MT/s.

CT275MX300SSD4 - Internes Crucial MX300 275GB M.2 2280 Solid State Drive - Sequenzielle lese-/schreibvorgänge mit bis zu 530/510 MB/s bei allen Dateitypen. Mehr als die 90-fache Energieeffizienz im Vergleich zu einer normalen Festplatte. Langlebiger als eine Festplatte - keine bewegliche verschleißanfällige Feinmechanik. 3 jahre beschränkte Garantie. Erhöhung der Bandbreite um bis zu 30 %.

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CT16G4SFD8213 - Crucial 16GB Single DDR4 2133 MT/s PC4-17000 SODIMM 260-Pin Memory

Crucial CT16G4SFD8213 - Mehr als die 90-fache Energieeffizienz im Vergleich zu einer normalen Festplatte. Innovative samsung V-NAND-Speichertechnologie mit 48 Schichten. Geschwindigkeit beginnt erst ab 2133 MT/s. Verbesserter durchsatz sequentieller Daten durch höhere Burst- Zugriffsgeschwindigkeiten. Mz-n5e250bw. Erhöhung der Bandbreite um bis zu 30 %.

Erhöhung der Bandbreite um bis zu 30 %. Crucial 16gb ddr4 2133 mt/s sodimm 260pin dr x8 unbuffered Geschwindigkeit beginnt erst ab 2133 MT/s. Sequenzielle lese-/schreibvorgänge mit bis zu 530/510 MB/s bei allen Dateitypen. Reduzierung des stromverbrauchs um bis zu 40 % und erhöhte Akkulaufzeit. Langlebiger als eine Festplatte - keine bewegliche verschleißanfällige Feinmechanik.

CT16G4SFD8213 - Crucial 16GB Single DDR4 2133 MT/s PC4-17000 SODIMM 260-Pin Memory - Erhöhung der Bandbreite um bis zu 30 %. Reduzierung des stromverbrauchs um bis zu 40 % und erhöhte Akkulaufzeit. Random lese-/schreibgeschwindigkeiten bei bis zu 440/360K IOPS. Die branchenweit beste Hardwareverschlüsselung gewährleistet Datenschutz und -sicherheit. Reduzierung des stromverbrauchs um bis zu 40 % und erhöhte Akkulaufzeit.

Geschwindigkeit beginnt erst ab 2133 MT/s.

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WD Green SSD 120 GB Festplatte SATA 6Gb/s, bis zu 540 MB/S Lese- und 430 MB/s Schreibgeschwindigkeit, M2 2280 WDS120G1G0B

Western Digital WDS120G1G0B - Geschwindigkeit beginnt erst ab 2133 MT/s. Reduzierung des stromverbrauchs um bis zu 40 % und erhöhte Akkulaufzeit. Nvme ssd ausgestattet mit Samsung V-NAND Technologie. Erhöhung der Bandbreite um bis zu 30 %. Verbesserter durchsatz sequentieller Daten durch höhere Burst- Zugriffsgeschwindigkeiten. Langlebiger als eine Festplatte - keine bewegliche verschleißanfällige Feinmechanik.

Slc caching single-level cell Caching beschleunigt den Schreibvorgang der WD Green-SSDs. Wd greentm ssds sind für den einsatz in laptops und desktop-pcs geeignet. Reduzierung des stromverbrauchs um bis zu 40 % und erhöhte Akkulaufzeit. Reduzierung des stromverbrauchs um bis zu 40 % und erhöhte Akkulaufzeit.

WD Green SSD 120 GB Festplatte SATA 6Gb/s, bis zu 540 MB/S Lese- und 430 MB/s Schreibgeschwindigkeit, M2 2280 WDS120G1G0B - Energieverbrauch lesen: 2 w, energieverbrauch schreiben: 2leistung speichertyp : slc datenübertragungsrate : 6 gbit/s schreibrate : Ja SolidStateDrive SSD Schnittstelle : Serial ATA III SSD Speicherkapazität : 120 GB Zufälliges Schreiben 4KB : 63000 IOPS Zufälliges L Geschwindigkeit beginnt erst ab 2133 MT/s.

Bis zu 3. 200mb/s sequentielle Lese- und 1. 900mb/s Schreibgeschwindigkeit. Steigern sie die leistung ihres laptops oder desktop mit einem WD GreenTM Solid-State-Laufwerk. Die branchenweit beste Hardwareverschlüsselung gewährleistet Datenschutz und -sicherheit.

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Samsung 960 EVO MZ-V6E500BW Interne Solid State Drive 500GB schwarz

SAY6A MZ-V6E500BW - Geschwindigkeit beginnt erst ab 2133 MT/s. Breite: 8 cm, 21 cm, tiefe: 2, leistung unterstützte sicherheitsalgorithmen : 256-bit aes mittlere betriebsdauer zwischen Ausfällen MTBF : 1500000 h Lesegeschwindigkeit : 3200 MB/s Schreibgeschwindigkeit : 1800 MB/s Controller Typ : Samsung Polaris Geschwindigkeit beginnt erst ab 2133 MT/s.

Random lese-/schreibgeschwindigkeiten bei bis zu 440/360K IOPS. Verbesserter durchsatz sequentieller Daten durch höhere Burst- Zugriffsgeschwindigkeiten. Speicherkapazität: 500 gb, solidstatedrive SSD Schnittstelle: PCI Express, Lesegeschwindigkeit: 3200 MB/s. Sie sind in den bauformen 2, 5 Zoll/7 mm und M.

Samsung 960 EVO MZ-V6E500BW Interne Solid State Drive 500GB schwarz - 2 2280 verfügbar. Wd greentm ssd sind durch Functional Integrity Testing Labs F. I. T. Mehr als die 90-fache Energieeffizienz im Vergleich zu einer normalen Festplatte. Labtm-Zertifiziert. Das kostenfreie wd ssd dashboard ermöglicht die Anzeige von Modell, Firmwareversion, S. M. A.

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USB C auf DisplayPort [email protected], CHOETECH 4ft/1.2m USB 3.1 Typ C Thunderbolt 3 kompatibel zu DP Kabel für MacBook pro 2017/2016, MacBook 12", Samsung Galaxy S8/S8 Plus, ChromeBook Pixel

CHOE TECHNOLOGY - Plug-and-play usb-bus-stromversorgung, Plug-and-Play-Design, keine externe Stromversorgung und Treiber erforderlich mit diesem Kabel. Mz-n5e250bw. Verbesserter durchsatz sequentieller Daten durch höhere Burst- Zugriffsgeschwindigkeiten. Verbesserter durchsatz sequentieller Daten durch höhere Burst- Zugriffsgeschwindigkeiten.

Nvme ssd ausgestattet mit Samsung V-NAND Technologie. Slc caching single-level cell Caching beschleunigt den Schreibvorgang der WD Green-SSDs. Wd greentm ssds sind für den einsatz in laptops und desktop-pcs geeignet. 3 jahre beschränkte Garantie. Abwärts kompatibel mit 1080p. Vergoldete steckverbinder für maximale Leitfähigkeit.

USB C auf DisplayPort [email protected], CHOETECH 4ft/1.2m USB 3.1 Typ C Thunderbolt 3 kompatibel zu DP Kabel für MacBook pro 2017/2016, MacBook 12", Samsung Galaxy S8/S8 Plus, ChromeBook Pixel - Sie sind in den bauformen 2, 5 Zoll/7 mm und M. 2 2280 verfügbar. Reduzierung des stromverbrauchs um bis zu 40 % und erhöhte Akkulaufzeit. Und der dp-anschluss verfügt über Verriegelungen, die das Kabel im Anschluss sichern. Wd greentm ssd sind durch Functional Integrity Testing Labs F. I. T.

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